Transphorm的第三代产品线再添两种GaN FET
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admin
2019-09-12 17:33

新增的表面贴装器件满足了各种应用对于可靠的高压GaN功能不断增长的兴趣

 

加州戈拉塔--(美国商业资讯)--最高可靠性高压(HV)氮化镓(GaN)半导体设计和制造的领导者Transphorm Inc.今天宣布推出其首款第三代PQFN88晶体管。新的650 V器件有TP65H070LSG(源极片)和TP65H070LDG(漏极片)两种版本,并提供72毫欧的导通电阻。

 

提升第三代平台著名的可靠性

 

Transphorm的第三代器件于20186推出,是当时市场上最高质量、最高可靠性的[Q+R] GaN FET。它们与定制设计的低压MOSFETGaN FET相配对,可提供:

 

§  更安静的切换

§  增加电流水平下的更高性能,以及最少的外部电路

§  更高的抗噪能力(4 V时的阈值电压)

§  更高的栅极稳健性(+/- 20 V)

 

第三代漏极和源极PQFN88封装包括更宽的引脚以提高板级可靠性(BLR),从而增加多层印刷电路板(PCB)设计的可靠性。所提供的漏极和源极接头配置还可适应高侧和低侧开关位置。这在将大焊盘焊接到非开关节点时,可提供更强的辐射抗扰度。此外,在现有的第三代TO-XXX FET产品中加入PQFN88器件,使工程师有机会使用Transphorm的最新技术探索GaN驱动的表面贴装应用。

 

Transphorm全球技术营销和北美销售副总裁Philip Zuk表示:我们关注的重点仍然是在提高GaN FET可靠性的同时,提供更高的功率密度。随着市场对高压GaN技术的兴趣持续增长,我们还希望为客户提供适合各种潜在应用的器件选择。我们在现有产品系列中推出72毫欧的源极和漏极PQFN88器件,这使我们能够同时满足这三个目标。

 

高压GaN功率电子器件的采用率正在不断上升。事实上,Transphorm已宣布有数家拥有各种终端产品[例如:服务器和工业电源、游戏PC供应、便携式太阳能发电机等]的客户展现了该技术的价值主张。

 

供应、定价和支持

 

650 V TP65H070LSGTP65H070LDG (72 mΩ) FET目前每千片订量的报价为7.47美元。提供支持的设计资源包括:

 

·       TP65H070L系列数据表

·       TP65H070L系列模型数据

·       1.2 kW半桥降压或升压评估套件[TDHBG1200DC100-KIT]

·       TP65H070L半桥子卡[TDHB-65H070-DC]

§  推荐的适用于Transphorm GaN FET的外部电路应用说明

 

其他应用说明和设计指南可在器件的产品页面上找到:TP65H070LSGTP65H070LDG

 

关于Transphorm

 

Transphorm致力于为高压电源转换应用设计并制造最高性能、最高可靠性的650伏与900伏氮化镓半导体。依托最大的IP组合(1000多项已授权和申请中的专利),Transphorm器件是业界唯一同时通过JEDECAEC-Q101认证的GaN FET